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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager3.418
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager7.740
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager2.520
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager8.658
MT46V64M8BN-75 IT:D
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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager7.470
MT46V64M8BN-75 IT:D TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager7.488
MT46V64M8BN-75 L:D
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Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager6.228
MT46V64M8BN-75 L:D TR
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Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager4.122
MT46V64M8CV-5B IT:J
MT46V64M8CV-5B IT:J

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
Auf Lager8.856
MT46V64M8CV-5B IT:J
MT46V64M8CV-5B IT:J

Alliance Memory, Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
Auf Lager23.628
MT46V64M8CV-5B IT:J TR
MT46V64M8CV-5B IT:J TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
Auf Lager4.356
MT46V64M8CV-5B:J
MT46V64M8CV-5B:J

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
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