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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
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  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Speicherformat: DRAM
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  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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DDR 512M DIE 64MX8

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Speichertyp: -
  • Speicherformat: -
  • Technologie: -
  • Speichergröße: -
  • Speicherschnittstelle: -
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager5.940
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager2.880
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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MT46V64M8TG-6T L:F
MT46V64M8TG-6T L:F

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager7.506