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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-VFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
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  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager5.418
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager8.208
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager4.158
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 750ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)
Auf Lager8.694
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager2.826
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager3.654
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager5.634
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager2.718
MT46V64M8P-5B:F
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager5.567
MT46V64M8P-5B:F TR
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager2.430
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager4.482
MT46V64M8P-5B IT:J TR
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
Auf Lager6.426
MT46V64M8P-5B:J
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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MT46V64M8P-5B:J TR
MT46V64M8P-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Hersteller: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP
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