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CSD87353Q5D
CSD87353Q5D

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

  • Hersteller:
  • Serie: NexFET™
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3190pF @ 15V
  • Leistung - max: 12W
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-PowerLDFN
  • Lieferantengerätepaket: 8-LSON (5x6)
Auf Lager2.941
CSD86350Q5D
CSD86350Q5D

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON

  • Hersteller:
  • Serie: NexFET™
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
  • Leistung - max: 13W
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-PowerLDFN
  • Lieferantengerätepaket: 8-LSON (5x6)
Auf Lager102.906
CSD87588N
CSD87588N

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

  • Hersteller:
  • Serie: NexFET™
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V
  • Leistung - max: 6W
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-XFLGA
  • Lieferantengerätepaket: 5-PTAB (3x2.5)
Auf Lager2.643
2N4341
2N4341

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

IC JUNCTION FET N-CH TO-18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 325mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager205
BF246A
BF246A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

SCR

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.730
2N4391
2N4391

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 100pA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager105
2N5116
2N5116

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 175 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager881
2N4093
2N4093

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/431
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager61
2N3822
2N3822

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/375
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-72
Auf Lager195
2N5460
2N5460

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.31W TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 310mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager11.344
2SK3320-Y(TE85L,F)
2SK3320-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET DUAL N-CH USV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 200mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Lieferantengerätepaket: USV
Auf Lager11.200
U310-E3
U310-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 25V TO-52

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)
Auf Lager3.128
U291
U291

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): 7 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)
Auf Lager28
2N5116
2N5116

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager2.236
2N5114
2N5114

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager67
2N4391
2N4391

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager99
2N4338
2N4338

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager1.825
2N4119A
2N4119A

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)
Auf Lager2.377
2N4118A
2N4118A

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)
Auf Lager19.584
MMBF5461
MMBF5461

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager11.603
MMBF4119
MMBF4119

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager3.033
2SK596S-B
2SK596S-B

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 100MW SPA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SC-72
  • Lieferantengerätepaket: 3-SPA
Auf Lager20.035
J111RLRAG
J111RLRAG

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager4.436
FJZ594JCTF
FJZ594JCTF

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: SOT-623F
Auf Lager34.934
FJX597JBTF
FJX597JBTF

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70 (SOT323)
Auf Lager83.298
FJX597JCTF
FJX597JCTF

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70 (SOT323)
Auf Lager59.355
BF246A
BF246A

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager1.703
2N5460
2N5460

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.960
PMBFJ620,115

Transistoren - JFETs

JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 190mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP
Auf Lager12.304
PMBFJ109,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager1