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Beschreibung
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2N4857
2N4857

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/385
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager2.348
2N4856
2N4856

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/385
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager1.073
2N4091
2N4091

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/431
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager2.736
2N3823
2N3823

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/375
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-72
Auf Lager288
2N5114
2N5114

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)
Auf Lager48
2N4092
2N4092

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/431
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager190
2N4391
2N4391

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager157
2SK208-Y(TE85L,F)
2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V S-MINI

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: S-Mini
Auf Lager18.784
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V SC59

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager8.105
JANTX2N4092
JANTX2N4092

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager143
JANTX2N4093UB
JANTX2N4093UB

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager218
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager823
PMBFJ110,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager49.990
PMBF4393,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager1.352
2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V SC59

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager279.731
2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 0.1W USM

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: USM
Auf Lager392.380
2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 0.1W USM

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: USM
Auf Lager32.949
PMBFJ309,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager9.592
2N5116
2N5116

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager1.336
2N4858A
2N4858A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.36W TO-18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager505
MMBF5103
MMBF5103

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager23.250
PZM5.1NB2,115

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V
  • Toleranz: ±2%
  • Leistung - max: 300mW
  • Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3µA @ 1.5V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100mA
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK
Auf Lager1.762
BZX284-C6V2,135

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD2

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 400mW
  • Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3µA @ 4V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100mA
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOD-110
  • Lieferantengerätepaket: SOD110
Auf Lager276
BZX284-C5V6,135

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 5.6V 400MW SOD2

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 400mW
  • Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1µA @ 2V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100mA
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOD-110
  • Lieferantengerätepaket: SOD110
Auf Lager96.331
NZ9F3V6T5G
NZ9F3V6T5G

ON Semiconductor

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD923

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 200mW
  • Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 1V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOD-923
  • Lieferantengerätepaket: SOD-923
Auf Lager5.347
BZG03C180TR3
BZG03C180TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 180V
  • Toleranz: -
  • Leistung - max: 1.25W
  • Impedanz (Max) (Zzt): 400 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1µA @ 130V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: DO-214AC, SMA
  • Lieferantengerätepaket: DO-214AC
Auf Lager1.724
1N4753A-T
1N4753A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 1.3W
  • Impedanz (Max) (Zzt): 1 kOhms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 27.4V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
  • Betriebstemperatur: 175°C
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: DO-204AL, DO-41, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-41
Auf Lager4.062
1N4742A-T
1N4742A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 1.3W
  • Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 9.1V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
  • Betriebstemperatur: 175°C
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: DO-204AL, DO-41, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-41
Auf Lager24.314
1N4735A-T
1N4735A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: 1.3W
  • Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 3V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
  • Betriebstemperatur: 175°C
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: DO-204AL, DO-41, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-41
Auf Lager53.452
JANTX1N823-1
JANTX1N823-1

M/A-Com Technology Solutions

Zenerdioden - Single

DIODE ZENER 6.2V DO35

  • Hersteller: M/A-Com Technology Solutions
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/127
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V
  • Toleranz: ±5%
  • Leistung - max: -
  • Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms
  • Strom - Umkehrleckage @ Vr: 2µA @ 3V
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-35
Auf Lager16