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AON3806 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-DFN (2.9x2.3)	Auf Lager53.909
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager27.329
IRF7341PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager58.528
IRF7328PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager860
IRF7319PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager288
IRF8915 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager378
IRF7754 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager109
IRF7103Q Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Leistung - max: 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager10.656
IRF7507TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: Micro8™	Auf Lager1.813
IRF7506TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: Micro8™	Auf Lager5.032
NDS9955 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.829
NDS8926 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager39
STS8DNH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager10.776
VMM650-01F IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Y3-Li Lieferantengerätepaket: Y3-Li	Auf Lager140
APTM08TAM04PG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V Leistung - max: 138W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager5.861
AO8808A Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager15.367
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager161.437
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V Leistung - max: 46W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Dual	Angebot anfordern
STL8DN10LF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Leistung - max: 70W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6)	Auf Lager989
CSD87313DMS Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-WSON (3.3x3.3)	Auf Lager12.182
STL8DN6LF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Leistung - max: 65W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6)	Auf Lager1.185
FDS8935 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.944
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 305mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager3.872
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE Hersteller: ON Semiconductor Serie: SPM® FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 115W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 19-PowerDIP Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager60
SLA5061 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Leistung - max: 5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager2.354
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Leistung - max: 780W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: - Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager94
TC8020K6-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: 6 N and 6 P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 56-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 56-QFN (8x8)	Auf Lager27
EPC2111 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID Hersteller: EPC Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.137
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Leistung - max: 38W (Tc), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)	Auf Lager418
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SIC POWER MODULE Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 880W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.471

AON3806

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN

Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Leistung - max: 2.5W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket: 8-DFN (2.9x2.3)

Auf Lager53.909

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

Hersteller: ON Semiconductor
Serie: UltraFET™
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Leistung - max: 2.5W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

Auf Lager27.329

IRF7341PBF

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Leistung - max: 2W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager58.528

IRF7328PBF

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Leistung - max: 2W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager860

IRF7319PBF

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Leistung - max: 2W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager288

IRF8915

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Leistung - max: 2W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager378

IRF7754

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Leistung - max: 1W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP

Auf Lager109

IRF7103Q

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Leistung - max: 2.4W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager10.656

IRF7507TR

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Leistung - max: 1.25W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket: Micro8™

Auf Lager1.813

IRF7506TR

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Leistung - max: 1.25W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket: Micro8™

Auf Lager5.032

NDS9955

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Hersteller: ON Semiconductor
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Leistung - max: 900mW
Betriebstemperatur: -
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

Auf Lager2.829

NDS8926

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO

Hersteller: ON Semiconductor
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Leistung - max: 900mW
Betriebstemperatur: -
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

Auf Lager39

STS8DNH3LL

STMicroelectronics

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: STripFET™ III
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Leistung - max: 2W
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SO

Auf Lager10.776

VMM650-01F

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET™
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
Leistung - max: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: Y3-Li
Lieferantengerätepaket: Y3-Li

Auf Lager140

APTM08TAM04PG

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Hersteller: Microsemi Corporation
Serie: -
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V
Leistung - max: 138W
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: SP6
Lieferantengerätepaket: SP6-P

Auf Lager5.861

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP

Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
Leistung - max: 1.4W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP

Auf Lager15.367

DMN5L06VKQ-7

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Leistung - max: 250mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket: SOT-563

Auf Lager161.437

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Leistung - max: 46W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Dual

Angebot anfordern

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Leistung - max: 70W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6)

Auf Lager989

CSD87313DMS

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

Hersteller:
Serie: NexFET™
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Leistung - max: -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket: 8-WSON (3.3x3.3)

Auf Lager12.182

STL8DN6LF3

STMicroelectronics

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Leistung - max: 65W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6)

Auf Lager1.185

FDS8935

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

Hersteller: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Leistung - max: 1.6W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

Auf Lager2.944

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Leistung - max: 400mW
Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: SOT-23-6
Lieferantengerätepaket: SOT-26

Auf Lager3.872

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE

Hersteller: ON Semiconductor
Serie: SPM®
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
Leistung - max: 115W
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montagetyp: Through Hole
Paket / Fall: 19-PowerDIP Module
Lieferantengerätepaket: Module

Auf Lager60

SLA5061

Sanken

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

Hersteller: Sanken
Serie: -
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Leistung - max: 5W
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montagetyp: Through Hole
Paket / Fall: 12-SIP
Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin

Auf Lager2.354

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Leistung - max: 780W
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: -
Paket / Fall: Module
Lieferantengerätepaket: Module

Auf Lager94

TC8020K6-G

Microchip Technology

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
FET-Typ: 6 N and 6 P-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Leistung - max: -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 56-VFQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket: 56-QFN (8x8)

Auf Lager27

EPC2111

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Leistung - max: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: Die
Lieferantengerätepaket: Die

Auf Lager3.137

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Leistung - max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)

Auf Lager418

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SIC POWER MODULE

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Leistung - max: 880W
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: Module
Lieferantengerätepaket: Module

Auf Lager2.471

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