NDS9955
Nur als Referenz
| Teilenummer | NDS9955 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NDS9955 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.829 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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NDS9955 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NDS9955 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NDS9955 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC, 6.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF, 305pF @ 15V Leistung - max 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerUDFN Lieferantengerätepaket HUML2020L8 |
