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MMBF5461

MMBF5461

Nur als Referenz

Teilenummer MMBF5461
PNEDA Teilenummer MMBF5461
Beschreibung JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $17,5581
100 ---------- $16,7351
250 ---------- $15,9121
500 ---------- $15,0890
750 ---------- $14,4032
1.000 ---------- $13,7173
Auf Lager 11.603
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBF5461 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBF5461
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBF5461, MMBF5461 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 385,99 KB)
PDFMMBF5461 Datenblatt Cover
MMBF5461 Datenblatt Seite 2 MMBF5461 Datenblatt Seite 3 MMBF5461 Datenblatt Seite 4 MMBF5461 Datenblatt Seite 5 MMBF5461 Datenblatt Seite 6 MMBF5461 Datenblatt Seite 7 MMBF5461 Datenblatt Seite 8

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MMBF5461 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id1V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

25 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/431

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

J177,126

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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