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2SK3320-Y(TE85L,F)

2SK3320-Y(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3320-Y(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer 2SK3320-Y-TE85L-F
Beschreibung JFET DUAL N-CH USV
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis
1 ---------- $12,6364
100 ---------- $12,0441
250 ---------- $11,4518
500 ---------- $10,8594
750 ---------- $10,3658
1.000 ---------- $9,8722
Auf Lager 11.200
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK3320-Y(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3320-Y(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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2SK3320-Y(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.2mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id200mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
LieferantengerätepaketUSV

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.8V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

375 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

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