Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage

Datensätze 786

Seite 27/27

Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Serie	FET-Typ	Technologie	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Lieferantengerätepaket	Paket / Fall
2SK3670(T6CANO,A,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	8.730	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-92MOD	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK3670(T6CANO,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	4.590	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-92MOD	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK3670,F(J	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	4.680	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-92MOD	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK3670,F(M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	3.510	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-92MOD	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SJ668(TE16L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD	5.202	U-MOSIII	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	5A (Ta)	4V, 10V	170mOhm @ 2.5A, 10V	2V @ 1mA	15nC @ 10V	±20V	700pF @ 10V	-	20W (Tc)	150°C	Surface Mount	PW-MOLD	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SSM3K35MFV,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST	2.610	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20V	180mA (Ta)	1.2V, 4V	3Ohm @ 50mA, 4V	1V @ 1mA	-	±10V	9.5pF @ 3V	-	150mW (Ta)	150°C	Surface Mount	VESM	SOT-723

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