2SJ668(TE16L1,NQ)
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| Teilenummer | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
| PNEDA Teilenummer | 2SJ668-TE16L1-NQ |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SJ668(TE16L1 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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2SJ668(TE16L1 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PW-MOLD |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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