Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 812/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SI3951DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager2.106
SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager6.552
SI3981DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager6.696
SI3981DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager5.670
SI3983DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 830mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager2.574
SI3983DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 830mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager3.060
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager59.334
SI3993DV-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 830mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager8.694
SI3993DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 830mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager7.848
SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 13V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager23.910
SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Leistung - max: 3.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.028
SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Leistung - max: 3.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager24.054
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V Leistung - max: 2.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.552
SI4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.694
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.462
SI4214DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.894
SI4226DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Leistung - max: 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.346
SI4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Leistung - max: 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.024
SI4228DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.052
SI4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.884
SI4230DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V Leistung - max: 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.424
SI4276DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Leistung - max: 3.6W, 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.160
SI4276DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Leistung - max: 3.6W, 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.112
SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V Leistung - max: 2.9W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager19.326
SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager133.848
SI4310BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A, 9.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 15V Leistung - max: 1.14W, 1.47W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager5.508
SI4330DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.498
SI4330DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.136
SI4340CDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.1A, 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Leistung - max: 3W, 5.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager8.334
SI4340DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A, 9.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.14W, 1.43W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager2.124

«
‹
1
...
809
810
811
812 (current)
813
814
815
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message