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SI3951DV-T1-GE3

SI3951DV-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI3951DV-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI3951DV-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.552
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SI3951DV-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3951DV-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI3951DV-T1-GE3, SI3951DV-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 117,78 KB)
PDFSI3951DV-T1-E3 Datenblatt Cover
SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI3951DV-T1-E3 Datenblatt Seite 7

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SI3951DV-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.04nC @ 1.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x5)

SSM6L35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA, 100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 30V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

SI1988DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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