Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMT6018LDR-7
PNEDA Teilenummer DMT6018LDR-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $4,9814
250 ---------- $4,7479
500 ---------- $4,5144
1.000 ---------- $4,2809
2.500 ---------- $4,0863
5.000 ---------- $3,8917
Auf Lager 202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT6018LDR-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT6018LDR-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT6018LDR-7 Datasheet
  • where to find DMT6018LDR-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT6018LDR-7
  • DMT6018LDR-7 PDF Datasheet
  • DMT6018LDR-7 Stock

  • DMT6018LDR-7 Pinout
  • Datasheet DMT6018LDR-7
  • DMT6018LDR-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT6018LDR-7 Price
  • DMT6018LDR-7 Distributor

DMT6018LDR-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds869pF @ 30V
Leistung - max1.9W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketV-DFN3030-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIA921EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FW906-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

ZXMP6A16DN8QTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1021pF @ 30V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDS8949

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

955pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI4330DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

B3F-4050

B3F-4050

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

CJS-1201TB1

CJS-1201TB1

Nidec Copal Electronics

SWITCH SLIDE SPDT 100MA 6V

PIC16F876-20I/SO

PIC16F876-20I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SOIC

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

BAT54A-7-F

BAT54A-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

VIPER100A

VIPER100A

STMicroelectronics

IC SWIT PWM SMPS CM PENTAWATT5

BZV49-C18,115

BZV49-C18,115

Nexperia

DIODE ZENER 18V 1W SOT89

ADCMP600BRJZ-REEL7

ADCMP600BRJZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP TTL/CMOS 1CHAN SOT23-5

2N7002LT1G

2N7002LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V