FW906-TL-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | FW906-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | FW906-TL-E |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FW906-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FW906-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FW906-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A, 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XBGA, 4-FCBGA Lieferantengerätepaket EFCP1313-4CC-037 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Leistung - max 416W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
