SI4210DY-T1-GE3
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Teilenummer | SI4210DY-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI4210DY-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.552 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4210DY-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI4210DY-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI4210DY-T1-GE3, SI4210DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4210DY-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 15V |
Leistung - max | 2.7W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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