SI3993DV-T1-GE3
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| Teilenummer | SI3993DV-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI3993DV-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI3993DV-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI3993DV-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI3993DV-T1-GE3, SI3993DV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3993DV-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 830mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V Leistung - max 2.4W, 3.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-PowerVQFN Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) |
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