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ALD110904SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V Vgs (th) (Max) @ Id: 420mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.190
ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager7.848
ALD110908ASAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.946
ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager8.676
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.960
ALD110914PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager7.668
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.358
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager2.502
ALD1110ESAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.978
ALD1115MAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager5.256
ALD1115PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager6.792
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.588
ALD1116PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager6.720
ALD1116SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.102
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager7.974
ALD1117SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.940
ALD111910MAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 8MSOP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.138
ALD111910PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.688
ALD111910SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.040
ALD111933MAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager3.384
ALD111933PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager8.892
ALD111933SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager9.960
ALD114804APCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager2.448
ALD114804ASCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager5.724
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager6.606
ALD114804SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager3.456
ALD114813PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager4.770
ALD114813SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager3.042
ALD114835PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager5.994
ALD114835SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD® FET-Typ: 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager6.570

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