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ALD1116SAL

ALD1116SAL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD1116SAL
PNEDA Teilenummer ALD1116SAL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ALD1116SAL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD1116SAL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD1116SAL, ALD1116SAL Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 101,37 KB)
PDFALD1116SAL Datenblatt Cover
ALD1116SAL Datenblatt Seite 2 ALD1116SAL Datenblatt Seite 3 ALD1116SAL Datenblatt Seite 4 ALD1116SAL Datenblatt Seite 5 ALD1116SAL Datenblatt Seite 6 ALD1116SAL Datenblatt Seite 7 ALD1116SAL Datenblatt Seite 8 ALD1116SAL Datenblatt Seite 9 ALD1116SAL Datenblatt Seite 10 ALD1116SAL Datenblatt Seite 11

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ALD1116SAL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AO4616L_103

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

UPA2373T1P-E4-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 15V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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