Transistoren

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IRGB10B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 22A 156W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max: 156W Schaltenergie: 140µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/230ns Testbedingung: 400V, 10A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.070
IRGB14C40LPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 20A 125W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Leistung - max: 125W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 900ns/6µs Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.416
IRGB15B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 208W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max: 208W Schaltenergie: 220µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/184ns Testbedingung: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 92ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.950
IRGB20B60PD1PBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 215W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 215W Schaltenergie: 95µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/115ns Testbedingung: 390V, 13A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 28ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.722
IRGB30B60K Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 78A 370W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max: 370W Schaltenergie: 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/185ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.142
IRGB30B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 78A 370W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max: 370W Schaltenergie: 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/185ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager27.432
IRGB4045DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 77W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Leistung - max: 77W Schaltenergie: 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/75ns Testbedingung: 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 74ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.424
IRGB4056DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 24A 140W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/83ns Testbedingung: 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 68ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.884
IRGB4059DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8A 56W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max: 56W Schaltenergie: 35µJ (on), 75µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/65ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.766
IRGB4060DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 99W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max: 99W Schaltenergie: 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/95ns Testbedingung: 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.280
IRGB4061DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 36A 206W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max: 206W Schaltenergie: 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/105ns Testbedingung: 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.082
IRGB4062DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 48A 250W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager22.920
IRGB4064DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 101W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.91V @ 15V, 10A Leistung - max: 101W Schaltenergie: 29µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/79ns Testbedingung: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 62ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.632
IRGB4086PBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 70A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.96V @ 15V, 120A Leistung - max: 160W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/112ns Testbedingung: 196V, 25A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.244
IRGB4607DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 58W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max: 58W Schaltenergie: 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/120ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 48ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.590
IRGB4610DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 77W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Leistung - max: 77W Schaltenergie: 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/75ns Testbedingung: 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 74ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.250
IRGB4615DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 99W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max: 99W Schaltenergie: 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/95ns Testbedingung: 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.652
IRGB4620DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 32A 140W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/83ns Testbedingung: 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 68ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AC	Auf Lager7.452
IRGB4630DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 47A 206W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max: 206W Schaltenergie: 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/105ns Testbedingung: 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AC	Auf Lager7.902
IRGB4640DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single DIODE 600V 40A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AC	Auf Lager2.682
IRGB4710DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V TO220 COPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: - Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.524
IRGB4715DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/100ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 86ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.208
IRGB4B60KD1PBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 63W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 93ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.354
IRGB4B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 63W TO220A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 130µJ (on), 83µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.712
IRGB5B120KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 12A 89W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A Leistung - max: 89W Schaltenergie: 390µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 600V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 160ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.698
IRGB6B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.988
IRGB6B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.830
IRGB8B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 167W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/140ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.416
IRGBC20FD2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.856
IRGBC20U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT UFAST 600V 13A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.660

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