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IRGB4630DPBF

IRGB4630DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGB4630DPBF
PNEDA Teilenummer IRGB4630DPBF
Beschreibung IGBT 600V 47A 206W TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.902
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IRGB4630DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGB4630DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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IRGB4630DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)47A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 18A
Leistung - max206W
Schaltenergie95µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge35nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/105ns
Testbedingung400V, 18A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.28mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/126ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

137nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

447ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

148W

Schaltenergie

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/227ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

NGTB50N60L2WG

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

67ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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