SGH23N60UFDTU
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| Teilenummer | SGH23N60UFDTU |
| PNEDA Teilenummer | SGH23N60UFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 100W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGH23N60UFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGH23N60UFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGH23N60UFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 92A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 115µJ (on), 135µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/60ns |
| Testbedingung | 300V, 12A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 33.8W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
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