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RJH60M2DPP-M0#T2

RJH60M2DPP-M0#T2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60M2DPP-M0#T2
PNEDA Teilenummer RJH60M2DPP-M0-T2
Beschreibung IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60M2DPP-M0#T2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60M2DPP-M0#T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60M2DPP-M0#T2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max33.8W
Schaltenergie180µJ (on), 180µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/70ns
Testbedingung300V, 12A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FL

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXGA12N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

AUIRG4PH50S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4IBC30S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

IXGA12N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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