Transistoren

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IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 41A 160W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/97ns Testbedingung: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 63ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager3.042
IRG4PH40UDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 41A 160W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/97ns Testbedingung: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 63ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager23.892
IRG4PH40UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 41A 160W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 1.04mJ (on), 3.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24ns/220ns Testbedingung: 960V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager10.380
IRG4PH50KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 3.83mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 87ns/140ns Testbedingung: 800V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager90
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 1.21mJ (on), 2.25mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/200ns Testbedingung: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager5.094
IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 57A 200W TO247AD Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/845ns Testbedingung: 960V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD	Auf Lager3.888
IRG4PH50SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 57A 200W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/845ns Testbedingung: 960V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager8.406
IRG4PH50UDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 47ns/110ns Testbedingung: 800V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Angebot anfordern
IRG4PH50UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 530µJ (on), 1.41mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 35ns/200ns Testbedingung: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AC	Auf Lager3.392
IRG4PSC71K Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 790µJ (on), 1.98mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/54ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager11.612
IRG4PSC71KD Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 3.95mJ (on), 2.33mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 82ns/282ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 82ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager491
IRG4PSC71KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 3.95mJ (on), 2.33mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 82ns/282ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 82ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager8.724
IRG4PSC71KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 790µJ (on), 1.98mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/54ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager13.822
IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 3.26mJ (on), 2.27mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 90ns/245ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 82ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager10.320
IRG4PSC71UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 420µJ (on), 1.99mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/56ns Testbedingung: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager2.970
IRG4PSH71KD Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 78A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 5.68mJ (on), 3.23mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 410nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 67ns/230ns Testbedingung: 800V, 42A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 107ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager4.914
IRG4PSH71KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 78A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 5.68mJ (on), 3.23mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 410nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 67ns/230ns Testbedingung: 800V, 42A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 107ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager6.036
IRG4PSH71KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 78A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 2.35mJ (on), 3.14mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 410nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/220ns Testbedingung: 960V, 42A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager6.588
IRG4PSH71U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 51ns/280ns Testbedingung: 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager7.960
IRG4PSH71UD Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 380nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/250ns Testbedingung: 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager2.021
IRG4PSH71UDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 380nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/250ns Testbedingung: 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager2.610
IRG4PSH71UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max: 350W Schaltenergie: 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 51ns/280ns Testbedingung: 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-274AA Lieferantengerätepaket: SUPER-247™ (TO-274AA)	Auf Lager4.230
IRG4RC10K Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/51ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager7.866
IRG4RC10KD Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 250µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 49ns/97ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 28ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.280
IRG4RC10KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 250µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 49ns/97ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 28ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.586
IRG4RC10KDTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 250µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 49ns/97ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 28ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager6.606
IRG4RC10KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/51ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager5.814
IRG4RC10KTR Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/51ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager2.142
IRG4RC10KTRL Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/51ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager2.466
IRG4RC10KTRR Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 38W DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/51ns Testbedingung: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager7.758

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