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IRG4PSH71KDPBF

IRG4PSH71KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PSH71KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PSH71KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.036
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4PSH71KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PSH71KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PSH71KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)78A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)156A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 42A
Leistung - max350W
Schaltenergie5.68mJ (on), 3.23mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge410nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.67ns/230ns
Testbedingung800V, 42A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)107ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-274AA
LieferantengerätepaketSUPER-247™ (TO-274AA)

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Hersteller

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Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

76W

Schaltenergie

570µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGP4760D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 48A

Leistung - max

325W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/140ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

DGTD120T40S1PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

1.96mJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

341nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/308ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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