IRGP4760D-EPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRGP4760D-EPBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRGP4760D-EPBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 127 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRGP4760D-EPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGP4760D-EPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGP4760D-EPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 144A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 48A |
| Leistung - max | 325W |
| Schaltenergie | 1.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 145nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 70ns/140ns |
| Testbedingung | 400V, 48A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 144A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 48A Leistung - max 325W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/140ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 229A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A Leistung - max 625W Schaltenergie 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 600nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/310ns Testbedingung 400V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A Leistung - max 750W Schaltenergie 5.4mJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/216ns Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
