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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1978/2164
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Beschreibung
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CM800HA-24H
CM800HA-24H

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: IGBTMOD™
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A
  • Leistung - max: 4800W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 180nF @ 10V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager2.034
CM800HA-28H
CM800HA-28H

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: IGBTMOD™
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1400V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A
  • Leistung - max: 4800W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 172nF @ 10V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager8.100
CM900DU-24NF
CM900DU-24NF

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: IGBTMOD™
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 900A
  • Leistung - max: 2550W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager3.960
CM900DUC-24NF
CM900DUC-24NF

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD MPD DUAL 900A 1200V

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: IGBTMOD™
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 900A
  • Leistung - max: 5900W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager6.048
CP10TD1-24A
CP10TD1-24A

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

DIP-CIB MOD 1200V 10A

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Leistung - max: 96W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.04nF @ 25V
  • Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 26-DIP Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.538
CP15TD1-24A
CP15TD1-24A

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

DIP-CIB MOD 1200V 15A

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Leistung - max: 113W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 10V
  • Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 26-DIP Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.690
CP20TD1-12A
CP20TD1-12A

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

DIP-CIB MOD 600V 20A

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Leistung - max: 96W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.57nF @ 10V
  • Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 26-DIP Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.704
CP25TD1-24A
CP25TD1-24A

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

DIP-CIB MOD 1200V 25A

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A
  • Leistung - max: 138W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.94nF @ 10V
  • Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 26-DIP Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.122
CP30TD1-12A
CP30TD1-12A

Powerex Inc.

Transistoren - IGBTs - Module

DIP-CIB MOD 600V 30A

  • Hersteller: Powerex Inc.
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A
  • Leistung - max: 114W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.36nF @ 10V
  • Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 26-DIP Module
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.110
CPV362M4F
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8.8A
  • Leistung - max: 23W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 8.8A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.34nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager5.778
CPV362M4K
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.7A
  • Leistung - max: 23W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.45nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager4.248
CPV362M4U
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7.2A
  • Leistung - max: 23W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.53nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager8.118
CPV363M4F
CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A
  • Leistung - max: 36W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager5.130
CPV363M4K
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A
  • Leistung - max: 36W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager53
CPV363M4U
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A
  • Leistung - max: 36W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 13A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager6.966
CPV364M4F
CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A
  • Leistung - max: 63W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 27A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager209
CPV364M4U
CPV364M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Leistung - max: 63W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.84V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • Lieferantengerätepaket: IMS-2
Auf Lager3.508
DD1200S12H4HOSA1
DD1200S12H4HOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

MOD DIODE 1200A IHMB130-2

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: 2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1200A
  • Leistung - max: 1200000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager3.222
DD800S45KL3B5NPSA1
DD800S45KL3B5NPSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1800V IHV130-4

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: 2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4500V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A
  • Leistung - max: 1600W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -50°C ~ 125°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager3.258
DDB2U30N08VRBOMA1
DDB2U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 800V 50A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: 3 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A
  • Leistung - max: 83.5W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager7.794
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: 2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager8.838
DDB6U100N16RRBOSA1
DDB6U100N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: EconoBRIDGE™
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Leistung - max: 350W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager8.766
DDB6U134N16RRB11BPSA1
DDB6U134N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT DDB6U134N16RRB11BPSA1

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: *
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: -
  • NTC-Thermistor: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.986
DDB6U134N16RRBOSA1
DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE 1600V 134A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 70A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager7.992
DDB6U180N16RR
DDB6U180N16RR

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT DDB6U180N16RRBPSA1

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Brake Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 515W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager8.658
DDB6U180N16RRB11BPSA1
DDB6U180N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: 3 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 515W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager2.016
DDB6U180N16RRB37BOSA1
DDB6U180N16RRB37BOSA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: *
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: -
  • NTC-Thermistor: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager8.190
DDB6U30N08VRBOMA1
DDB6U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26A
  • Leistung - max: 83.5W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager3.870
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 69A
  • Leistung - max: 335W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager5.544
DDB6U75N16W1RBOMA1
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Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Module

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 69A
  • Leistung - max: 335W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: Module
Auf Lager4.428