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DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer DDB2U30N08VRBOMA1
PNEDA Teilenummer DDB2U30N08VRBOMA1
Beschreibung IGBT MODULE 800V 50A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DDB2U30N08VRBOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDB2U30N08VRBOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
DDB2U30N08VRBOMA1, DDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 237,36 KB)
PDFDDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt Cover
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DDB2U30N08VRBOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration3 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Leistung - max83.5W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce880pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPIM™3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.35nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Leistung - max

390W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

FD600R06ME3S2BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400nA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

60nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT30H60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

MKI75-12E8

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

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