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MIXA81WB1200TEH

MIXA81WB1200TEH

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA81WB1200TEH
PNEDA Teilenummer MIXA81WB1200TEH
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 84A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.930
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MIXA81WB1200TEH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA81WB1200TEH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA81WB1200TEH, MIXA81WB1200TEH Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 245,26 KB)
PDFMIXA81WB1200TEH Datenblatt Cover
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MIXA81WB1200TEH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Leistung - max390W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE3
LieferantengerätepaketE3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

337A

Leistung - max

781W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.34V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FF800R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Leistung - max

379W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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