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CPV363M4F

CPV363M4F

Nur als Referenz

Teilenummer CPV363M4F
PNEDA Teilenummer CPV363M4F
Beschreibung IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CPV363M4F Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCPV363M4F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
CPV363M4F, CPV363M4F Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 253,75 KB)
PDFVS-CPV363M4KPBF Datenblatt Cover
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CPV363M4F Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Leistung - max36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.63V @ 15V, 16A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.1nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-SIP (13 Leads), IMS-2
LieferantengerätepaketIMS-2

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.2A

Leistung - max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

APTGV25H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FZ1200R33KL2CNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2300A

Leistung - max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT75DSK60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual Buck Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGLQ50H65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP1

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