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FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF200R12KT3HOSA1
PNEDA Teilenummer FF200R12KT3HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF200R12KT3HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF200R12KT3HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF200R12KT3HOSA1, FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 429,15 KB)
PDFFF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Cover
FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 2 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 3 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 4 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 5 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 6 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 7 FF200R12KT3HOSA1 Datenblatt Seite 8

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FF200R12KT3HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce14nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

29nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T15FF12Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EZIRPACK 1™ Module

Lieferantengerätepaket

EZIRPACK 1™

FP40R12KT3GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 401A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GHIS060A120S-A2

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Leistung - max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

VS-GT75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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