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FP40R12KT3GBOSA1

FP40R12KT3GBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP40R12KT3GBOSA1
PNEDA Teilenummer FP40R12KT3GBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.716
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FP40R12KT3GBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP40R12KT3GBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FP40R12KT3GBOSA1, FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 559,42 KB)
PDFFP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Cover
FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 2 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 3 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 4 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 5 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 6 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 7 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 8 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 9 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 10 FP40R12KT3GBOSA1 Datenblatt Seite 11

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FP40R12KT3GBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Leistung - max210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 401A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

390W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

POWIR® 34

50MT060WH

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

114A

Leistung - max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.1nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

12-MTP Module

Lieferantengerätepaket

12-MTP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

650A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF90DA60D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

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