Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N5880 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.956
2N5881 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 160W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.730
2N5882 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.218
2N5883 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.100
2N5883G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 25A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager8.580
2N5884 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 25A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager3.078
2N5884 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.454
2N5884 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 25A TO-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager7.992
2N5884G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 25A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager7.524
2N5885 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.444
2N5885 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 25A TO-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager5.904
2N5885G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 25A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager7.344
2N5886 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.318
2N5886G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 25A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager10.188
2N5954 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.590
2N5956 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.120
2N5961 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.466
2N5961_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.096
2N5962 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.550
2N5962 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager4.356
2N5962_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.334
2N5962_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.748
2N5963 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.528
2N6034 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager3.510
2N6034G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager32.808
2N6035G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager7.836
2N6036 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager6.894
2N6036 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32	Auf Lager14.952
2N6036-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP BIPOLAR TO-126 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager6.876
2N6036G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager8.064

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