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2N5961

2N5961

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5961
PNEDA Teilenummer 2N5961
Beschreibung TRANS NPN 60V 0.1A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.466
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N5961 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5961
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2N5961, 2N5961 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 295,12 KB)
PDF2N5961_D27Z Datenblatt Cover
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2N5961 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic200mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 10mA, 5V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 70mA, 700mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

2N6497

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 2A, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 10V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

5MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

BC807K-40R

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

BDW94-S

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 5A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

2N4126_S00Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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