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BUX98APW

BUX98APW

Nur als Referenz

Teilenummer BUX98APW
PNEDA Teilenummer BUX98APW
Beschreibung TRANS NPN 450V 24A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BUX98APW Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUX98APW
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BUX98APW, BUX98APW Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 49,45 KB)
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BUX98APW Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)450V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 3.2A, 16A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max200W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100mA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

JANSF2N2484

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/376

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

ZTX851STOB

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 200mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

ZXT11N20DFTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

130mV @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

160MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

JANTXV2N2905A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/290

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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