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2N5885

2N5885

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5885
PNEDA Teilenummer 2N5885
Beschreibung TRANS NPN 60V 25A TO-3
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N5885 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5885
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N5885 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic4V @ 6.25A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 10A, 4V
Leistung - max200W
Frequenz - Übergang4MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

215MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 100mA, 250mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

3 @ 250mA, 10V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SD241300L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

9MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

MJE802STU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

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