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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N6038 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager8.856
2N6038G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager16.422
2N6039 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager2.826
2N6039G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager33.732
2N6040 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.826
2N6040G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.246
2N6041 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager13.284
2N6042 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.570
2N6042G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager14.124
2N6043 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.662
2N6043G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.588
2N6045 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.208
2N6045-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN TO-220 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -60°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.562
2N6045G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager19.392
2N6048 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.338
2N6049 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.776
2N6051 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.880
2N6052 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager3.474
2N6052 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.298
2N6052 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 12A TO-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.780
2N6052G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager7.578
2N6055 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 8A TO-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager8.676
2N6058 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.384
2N6059 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager3.508
2N6059 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
2N6076 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.276
2N6076_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.056
2N6076_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.236
2N6076_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.410
2N6099 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A TO-220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.940

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