Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N6316 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.508
2N6317 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 7A TO-213AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2.5A, 4V Leistung - max: 90W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.842
2N6329 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.052
2N6330 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.100
2N6338 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 25A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager8.802
2N6338 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.384
2N6338G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 25A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager6.372
2N6339 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.208
2N6340 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.336
2N6341 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 25A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager8.406
2N6341G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 25A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.392
2N6350 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.498
2N6352 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.136
2N6353 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.544
2N6377 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager147
2N6383 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.060
2N6384 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.714
2N6384 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager9.816
2N6387 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.478
2N6387G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.434
2N6388 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.928
2N6388 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 65W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.042
2N6388 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 65W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager2.556
2N6388G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager30.636
2N6426 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.248
2N6426 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.508
2N6426_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.258
2N6426_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.796
2N6426G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.050
2N6426RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.056

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