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Seite 193/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N657 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.102
2N6609 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 16A TO-204 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager2.790
2N6609 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 16A TO3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.612
2N6648 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.686
2N6649 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.654
2N6650 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.228
2N6667 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.640
2N6667G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager18.720
2N6668 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 65W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager2.430
2N6668 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Leistung - max: 65W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.678
2N6671 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 8A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 300V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.984
2N6672 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.326
2N6673 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager469
2N6674 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.184
2N6675 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager92
2N6676 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.048
2N6677 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.866
2N6678 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.496
2N6678T1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.156
2N6714 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager8.370
2N6715 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON AUDIO POWER Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 500MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.986
2N6719 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager4.914
2N6724 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager4.842
2N6725 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN SILICON POWER DARLINGTON Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager8.730
2N6726 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager2.610
2N6727 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 500MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-237AA Lieferantengerätepaket: TO-237	Auf Lager3.024
2N6729 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIE TRANS Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
2N696 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.880
2N696S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.402
2N697 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN GP TRANSISTOR Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager4.842

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