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IXFT58N20Q TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 58A TO268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 (IXFT) Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.956
IXFT60N25Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.258
IXFT60N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 60A TO268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.490
IXFT60N65X2HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268HV Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.280
IXFT69N30P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4960pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.110
IXFT6N100F IXYS-RF	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 Hersteller: IXYS-RF Serie: HiPerRF™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 (IXFT) Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.396
IXFT6N100Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.994
IXFT70N15 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.994
IXFT70N20Q3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.950
IXFT70N30Q3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4735pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.568
IXFT74N20 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 74A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.488
IXFT74N20Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO268 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.352
IXFT7N90Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 7A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.390
IXFT80N08 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager2.880
IXFT80N085 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.104
IXFT80N10Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.804
IXFT80N15Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.166
IXFT80N20Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.704
IXFT80N30P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.844
IXFT80N65X2HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268HV Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.526
IXFT86N30T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 86A TO268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 860W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.496
IXFT88N28P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 280V 88A TO268 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.502
IXFT88N30P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 88A TO268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 88A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.994
IXFT94N30P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.986
IXFT94N30T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.460
IXFT96N20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 96A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.598
IXFT9N80Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.964
IXFV110N10P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager2.916
IXFV110N10PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager6.606
IXFV12N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager7.650

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