IXFT6N100F
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFT6N100F |
| PNEDA Teilenummer | IXFT6N100F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 |
| Hersteller | IXYS-RF |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.396 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFT6N100F Ressourcen
| Marke | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFT6N100F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFT6N100F Technische Daten
| Hersteller | IXYS-RF |
| Serie | HiPerRF™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 (IXFT) |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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