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IXFV12N120PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.988
IXFV12N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager7.470
IXFV12N80PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.268
IXFV12N90P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.258
IXFV12N90PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager3.690
IXFV14N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.510
IXFV14N80PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager8.424
IXFV15N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager2.880
IXFV15N100PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.520
IXFV16N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager2.592
IXFV16N80PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager8.172
IXFV18N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager2.808
IXFV18N60PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager3.798
IXFV18N90P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.078
IXFV18N90PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.250
IXFV20N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4685pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.240
IXFV20N80PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4685pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager7.200
IXFV22N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager2.430
IXFV22N50PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager5.922
IXFV22N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager6.570
IXFV22N60PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.034
IXFV26N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager5.976
IXFV26N50PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager5.454
IXFV26N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager5.778
IXFV26N60PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager5.004
IXFV30N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.726
IXFV30N50PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager4.752
IXFV30N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.888
IXFV30N60PS IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD Paket / Fall: PLUS-220SMD	Auf Lager2.808
IXFV36N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager4.446

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