Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFV18N90PS

IXFV18N90PS

Nur als Referenz

Teilenummer IXFV18N90PS
PNEDA Teilenummer IXFV18N90PS
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFV18N90PS Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFV18N90PS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFV18N90PS, IXFV18N90PS Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 197,72 KB)
PDFIXFV18N90PS Datenblatt Cover
IXFV18N90PS Datenblatt Seite 2 IXFV18N90PS Datenblatt Seite 3 IXFV18N90PS Datenblatt Seite 4 IXFV18N90PS Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFV18N90PS Datasheet
  • where to find IXFV18N90PS
  • IXYS

  • IXYS IXFV18N90PS
  • IXFV18N90PS PDF Datasheet
  • IXFV18N90PS Stock

  • IXFV18N90PS Pinout
  • Datasheet IXFV18N90PS
  • IXFV18N90PS Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFV18N90PS Price
  • IXFV18N90PS Distributor

IXFV18N90PS Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, PolarP2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs97nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5230pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)540W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPLUS-220SMD
Paket / FallPLUS-220SMD

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT1201R4BFLLG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Paket / Fall

TO-247-3

TK14E65W5,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 690µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4307pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

RFP15P05

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRF7475TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

MAX8869EUE18+

MAX8869EUE18+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 16TSSOP

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

FA-20H 16.0000MF10Z-AJ0

FA-20H 16.0000MF10Z-AJ0

EPSON

CRYSTAL 16.0000MHZ 8PF SMD

AP2111MPG-13

AP2111MPG-13

Diodes Incorporated

IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

NC7WZ04P6X

NC7WZ04P6X

ON Semiconductor

IC INVERTER 2CH 2-INP SC70-6

LSM9DS1TR

LSM9DS1TR

STMicroelectronics

IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA

ES3J

ES3J

SMC Diode Solutions

SMT SUPER FAST RECTIFIER

LT1963AEST-1.8#PBF

LT1963AEST-1.8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

TEPT4400

TEPT4400

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW RAD