IXFV110N10P
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Teilenummer | IXFV110N10P |
PNEDA Teilenummer | IXFV110N10P |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.916 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFV110N10P Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXFV110N10P |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXFV110N10P Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 480W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PLUS220 |
Paket / Fall | TO-220-3, Short Tab |
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