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IXFK94N50P2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 94A TO264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.480
IXFK98N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 98A TO264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.406
IXFL100N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager6.444
IXFL132N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager6.084
IXFL210N30P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 108A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager5.040
IXFL30N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™ Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager3.600
IXFL32N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™ Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager3.870
IXFL34N100 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 550W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager4.014
IXFL38N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™ Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager6.120
IXFL38N100Q2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager15.072
IXFL39N90 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 580W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager5.904
IXFL40N110P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager6.678
IXFL44N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager6.102
IXFL44N60 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager2.610
IXFL44N80 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 550W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager5.994
IXFL55N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager3.834
IXFL60N60 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager2.070
IXFL60N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager4.842
IXFL70N60Q2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager5.994
IXFL80N50Q2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager8.964
IXFL82N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™ Paket / Fall: ISOPLUS264™	Auf Lager4.428
IXFM10N90 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager5.994
IXFM11N80 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager2.772
IXFM15N60 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AE Paket / Fall: TO-204AE	Auf Lager7.272
IXFM1627 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.178
IXFM1633 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.376
IXFM1766 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.658
IXFM35N30 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AE Paket / Fall: TO-204AE	Auf Lager3.528
IXFM42N20 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AE Paket / Fall: TO-204AE	Auf Lager6.246
IXFM67N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET TO-3 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AE Paket / Fall: TO-204AE	Auf Lager6.750

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