Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFL34N100

IXFL34N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXFL34N100
PNEDA Teilenummer IXFL34N100
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.014
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFL34N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFL34N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFL34N100, IXFL34N100 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 116,08 KB)
PDFIXFL34N100 Datenblatt Cover
IXFL34N100 Datenblatt Seite 2

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFL34N100 Datasheet
  • where to find IXFL34N100
  • IXYS

  • IXYS IXFL34N100
  • IXFL34N100 PDF Datasheet
  • IXFL34N100 Stock

  • IXFL34N100 Pinout
  • Datasheet IXFL34N100
  • IXFL34N100 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFL34N100 Price
  • IXFL34N100 Distributor

IXFL34N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9200pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)550W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketISOPLUS264™
Paket / FallISOPLUS264™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PMZ1200UPEYL

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

410mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43.2pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN1006-3

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

NVMFD6H852NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta), 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

521pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

STD22NF06AG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 50V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

MIC29302BU

MIC29302BU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

B350B-13-F

B350B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

AD8113JSTZ

AD8113JSTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 100LQFP

ADCMP356YKSZ-REEL7

ADCMP356YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP/REF PP ACTIVE HI SC70-4

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

SMBJ33CA-13-F

SMBJ33CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 33V 53.3V SMB

LT1764EQ#TRPBF

LT1764EQ#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

744272221

744272221

Wurth Electronics

CMC 220UH 2.2A 2LN 780 OHM SMD

CRCW0402499RFKED

CRCW0402499RFKED

Vishay Dale

RES SMD 499 OHM 1% 1/16W 0402