Transistoren

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Seite 1502/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IXFN180N15P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 680W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.866
IXFN180N20 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.604
IXFN180N25T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 168A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.618
IXFN200N07 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.200
IXFN200N10P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 680W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.246
IXFN20N120 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.544
IXFN20N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.384
IXFN210N20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 188A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1070W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager133
IXFN210N30P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 192A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.752
IXFN210N30X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET N-CHANNEL Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 210A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 695W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.114
IXFN21N100Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.218
IXFN220N20X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.336
IXFN230N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager18.612
IXFN230N20T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1090W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.032
IXFN23N100 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.562
IXFN240N15T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.664
IXFN240N25X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 695W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.586
IXFN24N100 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 568W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.506
IXFN24N100F IXYS-RF	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B Hersteller: IXYS-RF Serie: HiPerRF™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager225
IXFN24N90Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.244
IXFN25N90 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.914
IXFN260N17T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 170V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 245A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1090W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.258
IXFN26N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.016
IXFN26N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 695W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.448
IXFN26N90 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.456
IXFN27N80 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9740pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.398
IXFN27N80Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.178
IXFN280N07 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.274
IXFN280N085 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.852
IXFN300N10P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 295A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1070W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.346

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