IXFN27N80
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFN27N80 |
| PNEDA Teilenummer | IXFN27N80 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.398 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFN27N80 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFN27N80 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFN27N80 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9740pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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