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IXFL38N100Q2

IXFL38N100Q2

Nur als Referenz

Teilenummer IXFL38N100Q2
PNEDA Teilenummer IXFL38N100Q2
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Hersteller IXYS
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IXFL38N100Q2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFL38N100Q2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFL38N100Q2, IXFL38N100Q2 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 135,25 KB)
PDFIXFL38N100Q2 Datenblatt Cover
IXFL38N100Q2 Datenblatt Seite 2 IXFL38N100Q2 Datenblatt Seite 3 IXFL38N100Q2 Datenblatt Seite 4

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IXFL38N100Q2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)380W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketISOPLUS264™
Paket / FallISOPLUS264™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.7nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF6623TR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ ST

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric ST

DMN65D8LQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

310mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STS26N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

APT42F50B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

ADM1087AKSZ-REEL7

ADM1087AKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SIMPLE SEQUENCER OD SC70-6

S3M

S3M

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

FMMT593TA

FMMT593TA

Diodes Incorporated

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

WSL12062L000FEA

WSL12062L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/4W 1206

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

MCP1725T-3302E/MC

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Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

PIC16F72-I/SO

PIC16F72-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 28SOIC

TLMG3100-GS08

TLMG3100-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED GREEN CLEAR 2PLCC SMD

MAX232EJE

MAX232EJE

Maxim Integrated

MULTICHANNEL RS-232 DRIVERS/RECE

RT9069-25GB

RT9069-25GB

Richtek USA Inc.

IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD