Thyristoren

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
T1620N65TOFXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 6500V 2530A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 6.5kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2290A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2530A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 36000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager6.336
T1651N70TOHPRXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module DIODE MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2350A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2620A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-200AF	Auf Lager6.570
T1651N70TS11XPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module DIODE MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2350A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2620A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-200AF	Auf Lager7.848
T1800N42TOFPRXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 4.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2490A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2820A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager6.696
T1800N42TOFXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 4.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2490A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2820A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager8.334
T1800N45TS07PRXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module DIODE MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: - Anzahl der SCRs, Dioden: - Spannung - Aus Zustand: - Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): - Current - On State (It (RMS)) (max.): - Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): - Current - Gate Trigger (Igt) (Max): - Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): - Current - Hold (Ih) (Max): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-200AF	Auf Lager5.994
T1851N60TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7000V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1830A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager4.158
T1851N70TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7000V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1830A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager5.814
T1851N70TS09XPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module DIODE MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2550A Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-200AF	Auf Lager5.724
T1901N70TS07XPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE T15035K-1-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: - Anzahl der SCRs, Dioden: - Spannung - Aus Zustand: - Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): - Current - On State (It (RMS)) (max.): - Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): - Current - Gate Trigger (Igt) (Max): - Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): - Current - Hold (Ih) (Max): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.878
T1901N80TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 8000V 3300A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2930A Current - On State (It (RMS)) (max.): 3300A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager6.678
T1901N80TS01PRQRHOSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module DIODE MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2930A Current - On State (It (RMS)) (max.): 3300A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-200AF	Auf Lager8.514
T1930N32TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager8.892
T1930N34TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager8.154
T1930N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager8.496
T1930N38TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager5.724
T1960N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AD	Auf Lager8.244
T1960N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AD	Auf Lager7.326
T1960N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AD	Auf Lager3.024
T2001N34TOFXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3600V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1900A Current - On State (It (RMS)) (max.): 29900A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager4.212
T2001N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3600V 3200A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3.6kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2890A Current - On State (It (RMS)) (max.): 3200A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager7.128
T2001N36TOFXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 3600V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1900A Current - On State (It (RMS)) (max.): 29900A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager2.466
T201N65TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 7000V 385A DO200AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 340A Current - On State (It (RMS)) (max.): 385A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AB, B-PUK	Auf Lager7.578
T201N70TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 7000V 385A DO200AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 7kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 340A Current - On State (It (RMS)) (max.): 385A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AB, B-PUK	Auf Lager3.906
T2160N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager5.076
T2160N22TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager7.974
T2160N24TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager7.434
T2160N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager3.780
T2160N28TOFVTXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 2.8kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 300mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager3.006
T2161N52TOHXPSA1 Infineon Technologies	Thyristoren - SCRs - Module SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Struktur: Single Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR Spannung - Aus Zustand: 5.2kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2860A Current - On State (It (RMS)) (max.): 3250A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 55000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max): 350mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: DO-200AE	Auf Lager8.928

T1620N65TOFXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 6500V 2530A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 6.5kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2290A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2530A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 36000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager6.336

T1651N70TOHPRXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

DIODE MODULE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2350A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2620A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: TO-200AF

Auf Lager6.570

T1651N70TS11XPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

DIODE MODULE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2350A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2620A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: TO-200AF

Auf Lager7.848

T1800N42TOFPRXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 4.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2490A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2820A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager6.696

T1800N42TOFXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 4200V 2820A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 4.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2490A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2820A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 41000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager8.334

T1800N45TS07PRXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

DIODE MODULE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: -
Anzahl der SCRs, Dioden: -
Spannung - Aus Zustand: -
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): -
Current - On State (It (RMS)) (max.): -
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): -
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): -
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): -
Current - Hold (Ih) (Max): -
Betriebstemperatur: -
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: TO-200AF

Auf Lager5.994

T1851N60TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7000V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1830A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager4.158

T1851N70TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7000V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1830A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager5.814

T1851N70TS09XPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

DIODE MODULE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2550A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 2880A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: TO-200AF

Auf Lager5.724

T1901N70TS07XPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE T15035K-1-1

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: -
Anzahl der SCRs, Dioden: -
Spannung - Aus Zustand: -
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): -
Current - On State (It (RMS)) (max.): -
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): -
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): -
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): -
Current - Hold (Ih) (Max): -
Betriebstemperatur: -
Montagetyp: -
Paket / Fall: -

Auf Lager4.878

T1901N80TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 8000V 3300A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2930A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 3300A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager6.678

T1901N80TS01PRQRHOSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

DIODE MODULE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2930A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 3300A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 67000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: TO-200AF

Auf Lager8.514

T1930N32TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager8.892

T1930N34TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager8.154

T1930N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager8.496

T1930N38TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2180A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4200A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager5.724

T1960N18TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AD

Auf Lager8.244

T1960N20TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AD

Auf Lager7.326

T1960N22TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1960A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4100A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 40000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AD

Auf Lager3.024

T2001N34TOFXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1900A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 29900A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager4.212

T2001N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3600V 3200A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3.6kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2890A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 3200A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager7.128

T2001N36TOFXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 3600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 1900A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 29900A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager2.466

T201N65TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 7000V 385A DO200AB

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 340A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 385A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AB, B-PUK

Auf Lager7.578

T201N70TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 7000V 385A DO200AB

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 7kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 340A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 385A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AB, B-PUK

Auf Lager3.906

T2160N20TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager5.076

T2160N22TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager7.974

T2160N24TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager7.434

T2160N26TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager3.780

T2160N28TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2400A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 4600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager3.006

T2161N52TOHXPSA1

Infineon Technologies

Thyristoren - SCRs - Module

SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Struktur: Single
Anzahl der SCRs, Dioden: 1 SCR
Spannung - Aus Zustand: 5.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 2860A
Current - On State (It (RMS)) (max.): 3250A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.): 2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 55000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max): 350mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C
Montagetyp: Chassis Mount
Paket / Fall: DO-200AE

Auf Lager8.928

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